倾佳电子-*功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销商，致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商。相较传统汽车，新能源汽车在电驱动单元、电气设备的数量上都有较大的增加，/动力电流及信息电流错综复杂，特别是高电流、高电压的电驱动系统对连接器的可靠性、体积和电气性能提出更高的要求，这意味着新能源汽车对连接器产品需求量及质量要求都将大幅提升。在新能源汽车中，高压连接器是极其重要的元部件，整车、充电设施上均有应用。整车上高压连接器主要应用场景有：DC、水暖PTC充电机、风暖PTC、直流充电口、动力电机、高压线束、维修开关、逆变器、动力电池、高压箱、电动空调、交流充电口等。

脱碳已经成为全球的趋势，在**双碳政策下，也即“碳达峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏发电逐渐成为瞩目的焦点，倾佳电子持续提供高品质功率半导体新能源汽车连接器，在新能源汽车电控，充电桩，汽车OBC,新能源发现，光伏逆变器，储能变流器PCS，工业电源等领域与客户深入合作，持续服务客户的采购链及新产品开发。

相较传统汽车，新能源汽车在电驱动单元、电气设备的数量上都有较大的增加，/动力电流及信息电流错综复杂，特别是高电流、高电压的电驱动系统对连接器的可靠性、体积和电气性能提出更高的要求，这意味着新能源汽车对连接器产品需求量及质量要求都将大幅提升。相较传统汽车，新能源汽车在电驱动单元、电气设备的数量上都有较大的增加，/动力电流及信息电流错综复杂，特别是高电流、高电压的电驱动系统对连接器的可靠性、体积和电气性能提出更高的要求，这意味着新能源汽车对连接器产品需求量及质量要求都将大幅提升。

近年来，倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件，国产SiC-MOSFET，国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器，数据中心、通讯基站电源、新型电力系统等领域拓展市场。除了车载应用，SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统（不间断电源）、轨道交通等领域推出.

倾佳电子-*功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销的元器件在电力电子领域，在功率器件方面发挥重要作用。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN在导通损耗和开关损耗方面的卓越性能，可以大大降低电力电子方面应用的能耗。随着汽车越来越智能化，对于连接器在未来的智能汽车上，绝不会仅仅作为一个电连接点进行传输，这个和传统汽车会有非常本质上的区别， 未来的连接器有可能会变成模块化，其功能会随着不同的汽车部位应用场景，功能也会有所不同；

同时智能驾驶的出现会让连接对于传输的稳定性变成强制条件，对于电性能的可靠性，以及其他性能都会提到更高一个要求等级；

倾佳电子-*代理的碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN引导电源技术转向新的高功率密度和效率、高耐热性能的解决方案，以减少导通损耗和碳排放。在整个能源转换链中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN将推动电力电子器件提*率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在很多电力电子应用场景中为能效提升作出贡献。